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    795 nm , VCSEL單模垂直腔面發射激光器

    簡要描述:795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm

    • 產品型號:
    • 廠商性質:代理商
    • 更新時間:2022-08-08
    • 訪  問  量:380

    詳細介紹

    品牌其他品牌價格區間面議
    組成要素半導體激光器產品及設備產地類別進口
    應用領域化工,建材,電子

    垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20


    技術參數

    應用

    原子鐘

    磁力計


    特點:

    包裝: 裸片

    芯片工藝: GaAs 垂直腔面發射激光器

    激光波長: 795 nm

    輻射剖面: 單模

    ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)


    最大額定值

    Ta = 80°C


    參數

    符號


    操作/焊接溫度

    DC = 100%

    TS

    最小值

    最大值

    -20°C

    110°C

    儲存溫度

    Tstg

    最小值

    最大值

    -40°C

    125°C

    正向電流(保持單模)

    直流操作; DC = 100%; TS = 75°C

    If

    最大值

    1.5 mA

    正向電流

    直流操作; DC =   100%; TS = 75°C

    If

    最大值

    3mA

    反向電壓

    不適合反向操作

    ESD耐電壓

    acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

    VESD

    最大值

    250 V


    注意:超出絕對最大額定值范圍的應力可能會對設備造成損壞。


     

    特點

    Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3


    參數

    符號


    正向電流

    VF

    典型值

    1.8   V

    輸出功率

    Φ

    典型值

    0.13 mW

    閾值電流

    Ith

    典型值

    0.75 mA

    斜率效能

    SE

    典型值

    0.21 W / A

    單模抑制比

    SMSR

    最小值

    20 dB

    偏振消光比5)

    PER

    最小值

    15 dB

    峰值波長

    λpeak-v

    最小值

    典型值

    最大值

    794.5   nm

    795 nm

    795.5 nm

    光譜線寬度

    Λlinewidth

    最大值

    100   MHz

    調頻調制帶寬

    Fm

    最小值

    3.4 GHz

    波長溫度系數

    TCλ

    典型值

    0.055 nm / K

    半峰全寬處視場(50% of Φmax)

    φx

    φY

    典型值

    典型值

    12°

    12°

    1/e2處 視場

    φx

    φY

    典型值

    典型值

    20°

    20°


    注意:波長,輸出功率根據操作溫度和電壓的變化而變化。



    相對光譜發射 1)

    112.png



    輻射特征 1)



    113.png

    正向電流 1) 2)


    114.png

    光輸出功率 1) 2)


    115.png


    尺寸圖 3)







    116.jpg




    產品標簽



    搜狗截圖20210916132030.png





    包裝






    117.jpg



    注意事項

    根據操作模式的不同,這些設備發射出高度集中的可見光和非可見光,這可能對人眼有害。包含這些設備的產品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預防措施。


    除其他物質外,該裝置的子組件還含有金屬填充材料,包括銀。金屬填充材料可能會受到含有侵略性

    物質的環境影響。因此,我們建議客戶在存儲、生產和使用過程中盡量減少設備接觸腐蝕性物質。當

    使用上述試驗進行試驗時,顯示出可見變色的裝置在規定的試驗持續時間內未顯示出故障限值范圍內

    的性能偏差。


    IEC60810中描述了相應的故障限值。



    術語

    1)          典型值:由于半導體器件制造工藝的特殊條件,技術參數的典型數據或計算關聯只能反映統計數字。這些不一定對應于每個產品的實際參數,這些參數可能不同于典型值和計算相關或典型特征線。由于技術改進,這些典型值數據將被更改,恕不另行通知。

    2)         測試溫度: TA = 85°C ± 2°C

    3)         尺寸公差:除非圖紙中另有說明,公差以±0.1規定,尺寸以mm規定。

    4)         波長:連續波長測量,分辨率±0.1 nm。

    5)         偏振: 在安裝或封裝引起的模具應力條件下,偏振消光比會降低。




    訂購信息

    描述

    工作模式

    訂購代碼

    Group 1 - Die; 2222; 795; S; 1M;

    S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20

    Ta   = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

    V00145 Group: 1

    Group 2 - Die; 2222; 795; S; 1M;

    S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20

    Ta   = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

    V00145 Group: 2

    Group 3 - Die; 2222; 795; S; 1M;

    S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20

    Ta   = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

    V00145 Group: 3

    Group 4 - Die; 2222; 795; S; 1M;

    S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20

    Ta   = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

    V00145 Group: 4

    Group 5 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20

    Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

    V00145 Group: 5




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